集微网消息，近日SK海力士公布了最新的96层3DNANDFlash技术，并赋予此技术4D的名称。据悉，SK海力士的首款4D闪存是VGbTLC，采用96层堆叠、I/O接口速度1.2Gbps（ONFi4.1标准）、面积13平方毫米，预计今年第四季度出样。
4D闪存的营销用意更大？
据韩媒Ddaily报导指出，SK海力士最新的96层3DNANDFlash技术，特色是采用ChargeTrapFlash(CTF)结构，将外围电路（PeripheralunderCell，简称“PUC”）的位置由水平改为垂直，PUC构造目的在于缩减芯片面积，采在周边晶体管(Transistor)上直接蒸镀晶胞(Cell)阵列堆叠而上的方式。因此，蚀刻制程与导电材料是技术关键，目前SK海力士控制栅极材料是以适当比例的钨、铜、铝混合而成。
值得一提的是，报道还指出，SK海力士所公开的PUC并非全新技术，美光早前已开发出类似的CellonPeripheral(COP)技术，并用于生产3DNANDFlash，而SK海力士赋予此技术4D的名称，是为营造出较3D先进的意象，营销的用意更大，最终能否获得市场青睐，仍待观察。
而据SK海力士透露，公司内部的4D闪存已经推进到了层堆叠，很快可以做到单芯片GB，年已做到单芯片8TB。目前，SK海力士的3DNAND是72层堆叠，单芯片最大Gb（64GB），首款企业级产品PE已于今年6月份出货给微软Azure服务器。
同时，SK海力士也透露，已经开始向慧与科技(HPE)出货导入72层3DNANDFlash的SATA固态硬盘(SSD)，虽非高端产品，但意味着SK海力士正在为挑战企业级SSD市场做准备。
SK海力士正在全球增设产能
近几年，受惠于DARM内存芯片和NAND闪存芯片强劲的需求推动，SK海力士营收屡创新高。据公司最新发布的第二季度财报显示，SK海力士第二季度净利润达到创纪录的4.3万亿韩元（约合38.4亿美元），同比增长75.4%。
其中，第二季度DRAM芯片出货量同比增长了16%，因市场供应短缺，销售价格同比上涨了4%；而第二季度NAND芯片出货量同比增长了19%，但因产品供应量的增加，销售价格下滑了9%。
SK海力士表示，随着中美两国数据公司企业投资的增加，今年下半年与服务器相关的产品需求仍将会增长。此外，对移动设备的季节性需求，包括新款智能手机的发布，也将为相关产品提供支持。SK海力士还表示，DRAM内存芯片的供给短缺问题仍将会随着时间推移继续存在。
为满足内存芯片市场越发旺盛的需求，今年7月底，SK海力士宣布将在总部京畿道利川市新建一座半导体工厂，新工厂总投资额达3.4万亿韩元(约合人民币亿元)，预计年底开工建设，计划年10月份完工。
除了建设新厂，SK海力士还将持续提升利川市M14工厂(年建成)的产能；同时，SK海力士在韩国清州增设的洁净室将于今年9月底之前完工，定于明年年初投产；此外，公司还将扩大中国无锡工厂的无尘室面积，预计今年下半年完成。
据悉，等到新工厂全部建设完毕、设备安装到位之后，SK海力士的总投资额或将超过46万亿韩元(约合人民币亿元)。（校对/春夏）